不純物半導体

不純物半導体（読み：ふじゅんぶつはんどうたい、）とは、ゲルマニウムやシリコンなどの真性半導体に、インジウムやヒ素などの不純物をわずかに加えた半導体のことである。外因性半導体（がいいんせいはんどうたい）と呼ばれることもある。

概要[編集 | ソースを編集]

純粋な真性半導体は温度により電流の流れ方を制御するが、これでは実用には不便であった。そこでインジウムやヒ素などの不純物（ドーパント）をわずかに加える（ドーピング）ことで、温度に関係なく電流が流れやすいという性質を持たせた不純物半導体が考えだされた。

不純物半導体は不純物の混ぜ方によって、キャリア（半導体中における電荷の移動の担い手）が正孔のものをN型半導体、キャリアが電子のものをP型半導体と区別される。キャリアの種類は不純物元素の最外殻電子の数に依存する場合が多く、最外殻電子が4より大きい時はN型半導体、最外殻電子が4より小さい場合はP型半導体になることが多い。半導体の一種であるケイ素を例に取ると、ヒ素、リンの場合がN型半導体、ホウ素の場合がP型半導体になる。

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