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'''不純物半導体'''（読み：ふじゅんぶつはんどうたい、）とは、[[ゲルマニウム]]や[[シリコン]]などの[[真性半導体]]に、[[インジウム]]や[[ヒ素]]などの不純物をわずかに加えた[[半導体]]のことである。[[外因性半導体]]（がいいんせいはんどうたい）と呼ばれることもある。

==概要==
純粋な[[真性半導体]]は[[温度]]により[[電流]]の流れ方を制御するが、これでは実用には不便であった。
そこで[[インジウム]]や[[ヒ素]]などの不純物（[[ドーパント]]）をわずかに加える（[[ドーピング]]）ことで、[[温度]]に関係なく[[電流]]が流れやすいという性質を持たせた不純物半導体が考えだされた。

不純物半導体は不純物の混ぜ方によって、[[キャリア]]（[[半導体]]中における[[電荷]]の移動の担い手）が[[正孔]]のものを[[N型半導体]]、キャリアが[[電子]]のものを[[P型半導体]]と区別される。キャリアの種類は不純物[[元素]]の[[最外殻電子]]の数に依存する場合が多く、最外殻電子が4より大きい時は[[N型半導体]]、最外殻電子が4より小さい場合は[[P型半導体]]になることが多い。 [[半導体]]の一種である[[ケイ素]]を例に取ると、[[ヒ素]]、[[リン]]の場合が[[N型半導体]]、[[ホウ素]]の場合が[[P型半導体]]になる。

==関連項目==
*[[半導体]]
*[[電気]]

==関連項目==
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不純物半導体 - 版の履歴

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